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除了生长参数,电力底售电服外界激励,如温度、电场均会影响HfO2多晶薄膜相结构及铁电性。HfO2晶体的热力学稳定相均为中心对称的晶体结构,年保目前经实验确定的铁电相均是亚稳相,包括非中心对称的正交相Pca21以及菱形相。
氧化物钙钛矿(perovskite)是最常见的铁电材料,作方但是,作方这类材料很难实现与互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的高度融合,是传统铁电材料用于存储器件的工业瓶颈之一。当超过某个浓度,川市场P42/nmc相(反铁电相)占主导,见图2(b)。由于HfO2的Pca21相与其他正交相结构十分接近,电力底售电服见表1及图1(a-c),电力底售电服不同相之间仅O原子占位有差异,这使得Pca21相的实验确认需要直接观察到O原子的位置,给实验带来极大困难。
铁电存储器件使用期间,年保需要在循环电场下保持稳定。但是,作方现有的综述大多是关于HfO2铁电性能及器件物理的,几乎没有综述侧重于HfO2结构演化与性能调控的关系。
示意图1 HfO2薄膜在不同生长参数或外部激励作用下的相结构演化与铁电性能©2022TheAuthors二、川市场【成果掠影】近日,川市场澳大利亚悉尼大学廖晓舟教授(共同通讯作者)课题组的博士研究生赵豆(第一作者),和香港理工大学陈子斌助理教授(共同通讯作者)在国际期刊Microstructures上发表了题为MicrostructuralevolutionandferroelectricityinHfO2 films的综述。
不同取向的钇(Y)掺杂的HfO2薄膜可以外延在ITO/YSZ衬底上,电力底售电服HZO薄膜可以外延在LSMO/STO衬底上。据悉,年保新品将从瑞士和挪威开启,逐步进入其它国家。
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